外延生长过程用组件

金属有机化学气相沉积(金属),分子束外延(MBE)是必不可少的外延工艺，例如，在LED芯片和晶体管的制造过程中，因为它们用于半导体层的生长。

使用的材料在外延反应器室中必须抵抗高达2200°C的温度。Plansee可以为您的系统制造由钼、钨、钽和工程合金制成的耐温组件。

熔点较高:具有高熔点的难熔金属钼(熔点2620°C)，钽(熔点3017°C)和钨(熔点3420°C)非常适合用于MOCVD和MBE等高温工艺。

耐腐蚀:此外，钼、钽和钨在各种环境中甚至在非常高的温度下都具有耐腐蚀性能。

杰出的纯度:由于反应器组件中的杂质可能是半导体的潜在污染源，因此腔室组件必须高度纯净。为了保证半导体的质量，并最终保证led或晶体管的效率，攀时的材料不含杂质。他们确保纯度超过99.97%。

低蒸汽压力:Plansee材料非常适合在高真空和超高真空中使用。

特殊的形状稳定性要求

钨和钼即使在高温和频繁的加热和冷却循环下也能保持其形状。通过ML, WL, TZM和WVM等特殊合金，Plansee提供了出色的抗蠕变性能和材料强度，从而进一步延长了材料的使用寿命。